具有全摆幅的差分压控可调延时单元
具有全摆幅的差分压控可调延时单元属于片上环形振荡器领域，其特征在于，一方面，电路使用对称负载，以两个交叉耦合后接地的NMOS管作为差分输入端；另一方面，又对对称负载进行分别控制，通过调节控制电压来调节两个对称负载输入漏极电流的比例，这样，在保持较大摆幅的情况下，控制电压和频率都有较大的调节范围，同时又保持了较小的上升下降时间，用于代替片上振荡器中的LC振荡电路，使振荡器易于集成，增大了频率可调范围，同时又可产生不同相位的输出电压。
发明专利
CN200910085484.3
2009-05-22
CN101567679
2009-10-28
H03K5/13(2006.01)I
清华大学
彭 锦;乔 飞;杨华中
100084北京市100084-82信箱
北京众合诚成知识产权代理有限公司
朱 琨
北京;11
1、具有全摆幅的差分压控可调延时单元，其特征在于，包含：五个PMOS管：第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)，四个NMOS管：第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)和第四NMOS管(MN4)，其中：第一PMOS管(MP1)，源级和衬底相连后接电源电压(VDD)，栅极接控制电压(VC)；第四PMOS管(MP4)，衬底和源级相连后接所述第一PMOS管(MP1)的漏级，该第四PMOS管(MP4)的栅极和漏级相连后构成第一个电压输出端(VOUT1)；第五PMOS管(MP5)，衬底和源级相连后接所述第一PMOS管(MP1)的漏级，该第五PMOS管(MP5)的栅极和漏级相连后构成第二个电压输出端(VOUT2)；第二PMOS管(MP2)，衬底和源级相连后接所述电源电压(VDD)，该第二PMOS管(MP2)的漏级接所述第一个电压输出端(VOUT1)，该第二PMOS管(MP2)的栅极接所述第二个电压输出端(VOUT2)；第三PMOS管(MP3)，衬底和源级相连后接所述电源电压(VDD)，该第三PMOS管(MP3)的漏级接所述第二个电压输出端(VOUT2)，该第三PMOS管(MP3)的栅极接所述第一个电压输出端(VOUT1)；第一NMOS管(MN1)，漏级接所述第二个电压输出端(VOUT2)，而衬底和源级相连后接地，栅极接第一个电压输出端(VOUT1)；第二NMOS管(MN2)，漏级接所述第一个电压输出端(VOUT1)，而衬底和源级相连后接地，栅极接第二个电压输出端(VOUT2)；第三NMOS管(MN3)，漏级接所述第一NMOS管(MN1)的栅极，该第三NMOS管(MN3)的衬底和源级相连后接地，而栅极则接第一输入电压(VIN1)；第四NMOS管(MN4)，漏级接所述第二NMOS管(MN2)的栅极，该第四NMOS管(MN4)的衬底和源级相连后接地，而栅极则接第二输入电压(VIN2)。