一种193nm浸没式光刻照明系统

摘要：

本发明涉及一种193nm浸没式光刻照明系统，它包括193nmArF准分子激光器、分离TE线偏振光和TM线偏振光用的亚波长偏振分束器、反射镜和透镜；偏振分束器包括一熔融石英材料的基底，基底表面上周期性刻蚀有若干平行的沟槽，相邻两沟槽之间的距离为100～110nm，每一沟槽的刻蚀深度为185～195nm；相邻两沟槽之间的背脊宽度与沟槽间距离的比值为0.4～0.6，背脊上的法线与激光器出射的光线方向呈布拉格角θ_i；第一反射镜设置在偏振分束器出射的TE线偏振光方向上，第二反射镜设置在第一反射镜出射的反射光方向上；透镜设置在第二反射镜出射的反射光方向上；第二反射镜出射的反射光方向与透镜之间设置有一扩束器。本发明提供的TE线偏振光照明大幅度地提高了193nm浸没式光刻机投影物镜的成像对比度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910082614.8

申请日期：2009-04-21

公开/公告号：CN101526755

公开/公告日：2009-09-09

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:清华大学

发明/设计人:康果果;谭峭峰;金国藩

主申请人地址:100084北京市海淀区清华大学精密仪器与机械学系

专利代理机构:北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人:徐 宁%关 畅

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种193nm浸没式光刻照明系统，其特征在于：它包括一193nmArF准分子激光器、一分离TE线偏振光和TM线偏振光用的亚波长偏振分束器、第一反射镜、第二反射镜和一透镜；其中，所述偏振分束器包括一熔融石英材料的基底，所述基底表面上周期性刻蚀有若干平行的矩形沟槽，相邻两所述沟槽之间的距离为100～110nm，每一所述沟槽的刻蚀深度为185～195nm；相邻两所述沟槽之间的背脊宽度与相邻两所述沟槽间距离的比值为0.4～0.6，所述背脊上的法线与所述激光器出射的光线方向呈布拉格角θi；所述第一反射镜设置在所述偏振分束器出射的TE线偏振光方向上，所述第二反射镜设置在所述第一反射镜出射的反射光方向上；所述透镜设置在所述第二反射镜出射的反射光方向上；所述第二反射镜出射的反射光方向与所述透镜之间设置有一扩束器。