一种自成像双面套刻对准方法

摘要：

一种涉及微电子专用设备技术领域用于双面光刻机的自成像套刻对准方法，此方法用于双面光刻机中实现样片与掩模版的套刻对准。该方法利用反射式波带片成像技术，在掩模版标记上方使用单视场显微镜或CCD成像系统对准，实现单曝光头正面套刻对准、正面两次(正反)曝光的双面对准光刻总体技术方案。该方法提供了一种在双面光刻机中仅在掩模版及样片一侧(即正面)使用一套光学系统即可实现双面套刻对准的方法，并有效地解决了其他常用对准方法中存在的结构复杂、操作繁琐以及套刻对准精度低等技术问题。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910082586.X

申请日期：2009-04-24

公开/公告号：CN101551597

公开/公告日：2009-10-07

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院光电技术研究所

发明/设计人:马 平;胡 松;唐小萍;邢 薇;严 伟

主申请人地址:610209四川省成都市双流350信箱

专利代理机构:北京科迪生专利代理有限责任公司

代理人:李新华%徐开翟

国别省市代码:四川;51

权利要求：

1、用于双面光刻机中的自成像套刻对准方法，步骤在于：第一步，样片单面曝光；第二步，安放掩模版和第一步已曝光样片，进行样片调平并分离间隙；第三步，调节光学成像系统调焦机构和掩模-样片精密对准工件台X、Y、θ向调节机构，通过显微镜或CCD成像设备及其成像光学系统，同时获取清晰的掩模版对准标记自身图像和反射式波带片反射形成的掩模版对准标记轮廓图像；第四步，利用掩模-样片精密对准工件台使样片相对于掩模版做X、Y及θ向运动，实现掩模版和样片的正面套刻对准，并完成对样片另一面的曝光。