一种电子束曝光散射参数的提取方法

摘要：

本发明涉及一种电子束曝光散射参数的提取方法。为了解决现有电子束曝光散射参数提取方法中操作繁琐且难以保证准确性的问题，本发明提供一种电子束曝光散射参数的提取方法，该方法根据所要进行参数提取的电子束抗蚀剂及衬底结构特性设计出合适的前散射参数α、背散射参数β以及背散射与前散射沉积能量之比η的提取版图；然后在待测的电子抗蚀剂及衬底结构上分别对三种设计的版图进行变剂量的电子束直写曝光；最后根据多组不同参数曝光、显影及剥离后的图形结构特征确定一组合适的散射参数。本发明无需进行大量烦琐的测量，因此不存在测量误差，并减少了由于数学处理带来的误差，使参数提取准确且简单易行。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910080196.9

申请日期：2009-03-25

公开/公告号：CN101510050

公开/公告日：2009-08-19

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:赵 珉;陈宝钦;刘 明;牛洁斌

主申请人地址:100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

专利代理机构:北京市德权律师事务所

代理人:王建国

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种电子束曝光散射参数的提取方法，其特征在于：该提取方法包括如下步骤：(1)对衬底进行表面清洁及热处理；(2)在衬底表面上涂敷电子束光刻抗蚀剂，并进行曝光前的预处理；(3)根据多组预设电子散射参数所计算得到的相对应的剂量调制表格，在该待测的电子束光刻抗蚀剂及衬底结构上分别对前散射参数α、背散射参数β以及背散射与前散射沉积能量之比η的提取版图进行变剂量的电子束直写曝光；(4)对曝光完毕的电子束光刻抗蚀剂和衬底进行显影、定影并蒸发金属进行剥离处理；(5)根据剥离处理后的得到图形结构特征确定一组合适的散射参数。