一种毫米波单片正交下变频器

摘要：

一种毫米波单片正交下变频器，属于电子技术领域，涉及毫米波单片正交下变频器。本发明基于PHMET工艺，通过在现有的毫米波单片正交下变器中的射频信号RF输入口引入低噪声放大单元，大大减小了整个单片正交下变频器的变频损耗，同时不增加芯片面积。同时采用兰格电桥(Lange Coupler)和马卡德巴伦(Marchand Balun)等宽带电路实现信号的功分，从而实现了整个正交下变频器的宽带特性。本发明可应用于雷达、通讯等系统中。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910058520.7

申请日期：2009-03-06

公开/公告号：CN101510757

公开/公告日：2009-08-19

主分类号：H03D7/16(2006.01)I

申请/专利权人:电子科技大学

发明/设计人:杨自强;杨 涛

主申请人地址:611731四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

专利代理机构:电子科技大学专利中心

代理人:葛启函

国别省市代码:四川;51

权利要求：

1、一种毫米波单片正交下变频器，包括等幅同相功分电路(1)、两个偶次谐波混频单元(2)、两个中频滤波电路(3)、作为等幅0°和90°功分电路的兰格电桥(4)，其特征在于，韩包括一个低噪声放大电路(5)；低频信号LO通过等幅同相功分电路(1)等幅同相地分配到两个偶次谐波混频单元(2)；射频信号RF首先通过低噪声放大单元(5)放大，再通过作为等幅0°和90°功分电路的兰格电桥(4)分为等幅的0°和90°两路信号，分别加到两个偶次谐波混频单元(2)；在中频口，采用中频滤波电路(3)滤出所需的中频正交信号。