一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

摘要：

本发明公开了一种薄膜体声波谐振器，包括衬底、缓冲层、压电层和电极，其特征在于：①衬底上端面设置有平滑的凹槽和缓冲层，所述缓冲层跨越凹槽与衬底形成一具有平滑上凸边缘的空气隙并完全覆盖该空气隙，所述空气隙下顶面的高度低于衬底，具有平整的表面和平缓变化的边界；②所述缓冲层的与空气隙接触面且临近衬底的边缘为平滑外凸形状，缓冲层上设置所述压电层，电极包括底电极和顶电极，所述底电极设置在缓冲层上压电层内，所述顶电极设置在压电层的上面。该体声波谐振器结构新颖，该方法能够在衬底上制作出结构稳定、损耗小的FBAR，且无需采用CMP工艺，有利于集成于CMOS芯片中。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910058139.0

申请日期：2009-01-15

公开/公告号：CN101465628

公开/公告日：2009-06-24

主分类号：H03H9/25(2006.01)I

申请/专利权人:电子科技大学

发明/设计人:杨 杰;石 玉;钟 慧;王华磊;黄光俊;杜 波;蒋 欣

主申请人地址:610054四川省成都市建设北路二段四号

国别省市代码:四川;51

权利要求：

1、一种薄膜体声波谐振器，包括衬底、压电层和电极，其特征在于：①衬底上端面设置有平滑的凹槽和缓冲层，所述缓冲层跨越凹槽与衬底形成一具有平滑上凸边缘的空气隙并完全覆盖该空气隙，所述空气隙下顶面的高度低于衬底，具有平整的表面和平缓变化的边界；②所述缓冲层的与空气隙接触面且临近衬底的边缘为平滑外凸形状，缓冲层上设置所述压电层，电极包括底电极和顶电极，所述底电极设置在缓冲层上压电层内，所述顶电极设置在压电层的上面。