一种可调谐超晶格振荡器的实现方法

摘要：

本发明涉及一种可调谐超晶格振荡器的实现方法，其特征在于(1)利用外加磁场和电场调控超晶格振荡器中电流振荡模式和振荡频率，所述的超晶格振荡器是基于载流子的共振隧穿机制的弱耦合超晶格；(2)所述的外加磁场的方向垂直于超晶格的方向，所述的电场为直流偏压，直流偏压沿超晶格生长方向；(3)在超晶格振荡器上固定直流偏压产生无阻尼振荡电流之后，通过调节外加磁感应强度对超晶格振荡器的振荡频率进行连续调节。总之，本发明利用外加磁场和电场的调控能够实现超晶格振荡器振荡频率的连续性变化。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910052699.5

申请日期：2009-06-09

公开/公告号：CN101582680

公开/公告日：2009-11-18

主分类号：H03B28/00(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明/设计人:王 长;曹俊诚

主申请人地址:200050上海市长宁区长宁路865号

专利代理机构:上海智信专利代理有限公司

代理人:潘振甦

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种可调谐超晶格振荡器的实现方法，其特征在于利用外加磁场和电场调控超晶格振荡器中电流振荡模式和振荡频率，所述的超晶格振荡器是基于载流子的共振隧穿机制的弱耦合超晶格。