一种可单片集成的射频滤波器及制作方法

摘要：

本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属-绝缘层-金属电容的下金属极板；生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层；然后电镀同时形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线；再利用各向异性腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽，用于制作电感下导线以及确定悬空释放MIM电容的开口；在电感区域沟槽里制作电感的下导线；最后采用各向同性腐蚀释放电感结构和MIM电容，使它们悬空。采用低温工艺，在普通的低阻硅片上制造，整个微加工制造工艺与CMOS集成电路工艺兼容。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910048787.8

申请日期：2009-04-03

公开/公告号：CN101534103

公开/公告日：2009-09-16

主分类号：H03H7/00(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明/设计人:李昕欣;吴争争;顾 磊

主申请人地址:200050上海市长宁区长宁路865号

专利代理机构:上海智信专利代理有限公司

代理人:潘振甦

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种可单片集成的射频滤波器，其特征在于所述的射频滤波器集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬浮空在各向异性腐蚀形成的沟槽中，且嵌入硅片表面以下，悬浮于沟槽上的电感和电容由周围的介质层薄膜支撑。