光刻机扫描曝光方法

摘要：

本发明提供一种光刻机扫描曝光方法，其在光刻机的硅平面上设置相互正交的两个方向，并将所述硅平面分为若干曝光场区域，所述光刻机上设置有可变狭缝，所述可变狭缝在所述的两个方向上分别设置有刀口，先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光，当对曝光场区域其中一个方向扫描曝光时，所述可变狭缝在该方向的刀口从闭合状态开始逐渐打开至最大，再逐渐缩小至闭合状态。本发明通过先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光。改善了曝光场区域Y方向的剂量均匀性，又能改善X方向的剂量均匀性，从而改善曝光剂量的系统性能，提高光刻线宽的均匀性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910046823.7

申请日期：2009-02-27

公开/公告号：CN101487988

公开/公告日：2009-07-22

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海微电子装备有限公司

发明/设计人:张 俊

主申请人地址:201203上海市张江高科技园区张东路1525号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所

代理人:屈 蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1. 一种光刻机扫描曝光方法，在光刻机的硅平面上设置相互正交的两个方向，并将所述硅平面分为若干曝光场区域，所述光刻机上设置有可变狭缝，所述可变狭缝在所述的两个方向上分别设置有刀口，其特征在于：先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光。