一种新型压电薄膜谐振器的制备方法

摘要：

本发明涉及微电子工艺及其器件技术领域，具体地是一种新型压电薄膜谐振器的制备方法，其特征在于采用SOI晶片，在其顶层硅上刻蚀出腐蚀槽或腐蚀孔，然后用氢氟酸腐蚀掉槽或孔间所围范围的绝缘层，在晶片顶层上形成一个悬空的硅层；接着在这个悬空的顶层硅上先后沉积底电极材料，压电薄膜材料，顶电极材料，构成一个压电薄膜谐振器；本发明有益效果：采用SOI晶片制作空腔型压电薄膜谐振器，其中利用两层硅之间的氧化层作牺牲层，省去了沉积牺牲层的步骤，简化了工艺，并可用其与硅工艺相兼容，这可将谐振器阵列和外电路集成在一起，使电路具有高速、低压、低功耗、灵敏度高，响应速度快并且多通道的优点，同时使器件微型化、集成化程度更高。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910046390.5

申请日期：2009-02-20

公开/公告号：CN101499784

公开/公告日：2009-08-05

主分类号：H03H3/02(2006.01)I

申请/专利权人:上海工程技术大学

发明/设计人:言 智;邓沛然;刘延辉;周细应;于治水

主申请人地址:201620上海市松江区龙腾路333号

专利代理机构:上海三方专利事务所

代理人:吴干权

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种新型压电薄膜谐振器的制备方法，其特征在于步骤如下：(1)采用绝缘体上硅(SOI)晶片，清洗基片，除去表面污染；(2)在SOI晶片的顶层硅上光刻刻出若干个腐蚀槽或者腐蚀孔；(3)将SOI片放入腐蚀液中，腐蚀去除顶层硅腐蚀槽范围内的SiO2绝缘层，制备出空腔结构；(4)在悬空的顶层硅上沉积底电极层；(5)在底电极层上沉积压电薄膜材料；(6)在压电薄膜层上沉积顶电极层。