光刻系统及其可变狭缝与掩模台中心偏差的测量方法

摘要：

本发明提出一种光刻系统及其可变狭缝与掩模台中心偏差的测量方法。光刻系统包括光源、具有可变狭缝的照明系统、掩模版、支撑并固定掩模版的掩模台、投影物镜成像系统、晶片以及支撑并固定晶片的工作台。光刻系统可变狭缝与掩模台中心偏差的测量方法包括下列步骤：在掩模版上设计特征图形，特征图形具有第一中心；特征图形透过投影物镜成像系统形成一影像于晶片，影像具有第二中心；确定第一中心投影在晶片上的第一位置；确定第二中心的第二位置；以及依据第一位置和第二位置计算得到可变狭缝和掩模台中心偏差。本发明为直接利用掩模版上的特征图形计算可变狭缝和掩模台中心偏差，不依赖于第三方传感器，操作简便，并可达到极高测量精度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910045240.2

申请日期：2009-01-13

公开/公告号：CN101526749

公开/公告日：2009-09-09

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海微电子装备有限公司

发明/设计人:毛方林

主申请人地址:201203上海市张江高科技园区张东路1525号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所

代理人:屈 蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1.一种光刻系统，包括光源、具有可变狭缝的照明系统、掩模台、投影物镜成像系统、晶片以及用于支撑并固定上述晶片的工作台，其特征在于，上述光刻系统还包括：掩模版，设置于上述掩模台，且上述掩模版包含识别位置偏差的特征图形，上述特征图形通过上述投影物镜成像系统形成一影像于上述晶片。