一种单粒子瞬变(SET)加固的锁相环

摘要：

本发明公开了一种单粒子瞬变(SET)加固的锁相环，其包括基本锁相环路、对称控制电压补偿辐射加固电路。本发明对锁相环路没有特别要求，可以是任意锁相环。所述辐射加固电路包括运放OP1、上拉PMOS管P1、运放OP2、下拉NMOS管N1。OP1检测压控振荡器(VCO)的控制电压V_C的最小值，控制上拉PMOS管P1的开启与关闭来正向补偿V_C。OP2检测压控振荡器(VCO)的控制电压V_C的最大值，控制下拉NMOS管N1的开启与关闭来反向补偿V_C。本发明是一种代价小、适用范围广、可以缓解锁相环中各敏感结点的辐射影响、加快环路锁定的锁相环。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910043645.2

申请日期：2009-06-09

公开/公告号：CN101572547

公开/公告日：2009-11-04

主分类号：H03L7/099(2006.01)I

申请/专利权人:中国人民解放军国防科学技术大学

发明/设计人:张民选;赵振宇;陈吉华;李俊丰;陈怒兴;李少青;马 卓;方 粮;郭 阳;蒋仁杰;白 创;黄 冲;郭 斌

主申请人地址:410073湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号

国别省市代码:湖南;43

权利要求：

1、一种单粒子瞬变(SET)加固的锁相环，其特征在于：它包括基本的锁相环路、对称控制电压补偿辐射加固电路；所述加固电路包括运放OP1、上拉管P1、运放OP2、下拉管N1；所述运放OP1、OP2的正向输入端连接到压控振荡器(VCO)的输入控制电压VC上，运放OP1的反向输入端连接到参考电压VC_MIN，运放OP2的反向输入端连接到参考电压VC_MAX；VC_MAX和VC_MIN可以根据具体情况合理设置；下拉管N1的漏极连接在控制电压VC上，源极与地连接；上拉管P1的漏极连接在控制电压VC上，源极与电源连接。