一种混合电压输出电路

摘要：

本发明公开了一种混合电压输出电路，包括预驱动电路、输出级、预驱动电路的一个输出端与输出级之间的电平转换器，其特征在于，所述的电平转换器包括一个1V电平产生电路、一个使用耐压为3.3V的薄栅氧MOS晶体管的0-3.3V变为1.7V-5V电平转换电路，所述输出级包括串联的第一、第二PMOS晶体管，串联的第一、第二NMOS晶体管，第一PMOS晶体管的栅极接0-3.3V到1.7V-5V电平转换电路的输出端，第二PMOS晶体管的栅极接1V电平产生电路的输出端；第一NMOS晶体管的栅极接第一电源，第一PMOS晶体管的源极接第二电源，第二NMOS晶体管的栅极接预驱动电路的另一个输出端，第二PMOS晶体管漏极与第一NMOS晶体管漏极相连构成输出节点。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910021353.9

申请日期：2009-03-03

公开/公告号：CN101510774

公开/公告日：2009-08-19

主分类号：H03K19/0185(2006.01)I

申请/专利权人:中国航天时代电子公司第七七一研究所

发明/设计人:苏 强;吴龙胜;刘文平;汪西虎;唐 威;赵得益;谢成民;王忠芳

主申请人地址:710054陕西省西安市太乙路189号

专利代理机构:西安通大专利代理有限责任公司

代理人:朱海临

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

1. 一种混合电压输出电路，包括预驱动电路、输出级、预驱动电路的一个输出端(G)与输出级之间的电平转换器，其特征在于，所述的电平转换器包括一个1V电平产生电路(106)、一个使用耐压为3.3V的薄栅氧MOS晶体管的0-3.3V变为1.7V-5V电平转换电路(105)，所述输出级包括串联的第一、第二PMOS晶体管(101)、(102)，串联的第一、第二NMOS晶体管(103)、(104)，所述第一PMOS晶体管(101)的栅极接0-3.3V到1.7V-5V电平转换电路(105)的输出端(D)，第二PMOS晶体管(102)的栅极接1V电平产生电路(106)的输出端(E)；第一NMOS晶体管(103)的栅极接第一电源(VDD)，第一PMOS晶体管(101)的源极接第二电源(VDDH)，第二NMOS晶体管(104)的栅极接预驱动电路的另一个输出端(F)，第二PMOS晶体管(102)漏极与第一NMOS晶体管(103)漏极相连构成输出节点(A)。