一种抗地弹效应的输出电路

摘要：

本发明公开了一种具有抗地弹效应的输出电路，其特征在于，使用PMOS阈值电压调整电路(105)调整PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压，使用NMOS阈值电压调整电路(106)调整NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压。输出电路的输出由高电平向低电平转换时，PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压增大，NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压减小，从而减小下拉电路的变化率，减小地线上的地弹效应，并降低功耗和下拉延迟；输出电路的输出由低电平向高电平转换时，PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压减小，NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压增大，从而减小上拉电路的变化率，减小电压线上的地弹效应，并降低功耗和上拉延迟。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910021080.8

申请日期：2009-02-10

公开/公告号：CN101488743

公开/公告日：2009-07-22

主分类号：H03K19/0185(2006.01)I

申请/专利权人:中国航天时代电子公司第七七一研究所

发明/设计人:苏 强;刘文平;吴龙胜;唐 威

主申请人地址:710054陕西省西安市太乙路189号

专利代理机构:西安通大专利代理有限责任公司

代理人:朱海临

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

1. 一种抗地弹效应的输出电路，包括连接预驱动电路上节点(G)的第一PMOS晶体管(101)、连接预驱动电路下节点(F)的第一NMOS晶体管(103)，第一PMOS晶体管(101)通过反相器与第二PMOS晶体管(102)连接；第一NMOS晶体管(103)通过反相器与第二NMOS晶体管(104)连接，其特征在于，所述第一PMOS晶体管(101)的体区、第二PMOS晶体管(102)的体区分别连接有PMOS阈值电压调整电路(105)；所述第一NMOS晶体管(103)的体区、第二NMOS晶体管(104)的体区分别连接有NMOS阈值电压调整电路(106)；PMOS阈值电压调整电路(105)和NMOS阈值电压调整电路(106)在预驱动电路上、下节点(F)、(G)由低电平转换为高电平时，使第一、第二PMOS晶体管(101)、(102)的阈值电压减小，第一、第二NMOS晶体管(103)、(104)的阈值电压增大；在预驱动电路上、下节点(F)、(G)由高电平转换为低电平时，使第一、第二PMOS晶体管(101)、(102)的阈值电压增大，第一、第二NMOS晶体管(103)、(104)的阈值电压减小，从而实现输出电路的抗地弹效应，并减小功耗和延迟。