一种动态体偏置施密特触发器电路

摘要：

本发明公开了一种动态体偏置施密特触发器电路，利用体偏置技术控制第一NMOS晶体管(10)、第一PMOS晶体管(11)的体区电压，改变第一NMOS晶体管(10)、第一PMOS晶体管(11)的阈值电压，进而形成双开关阈值的施密特触发器电路的实现。当输入信号为低电平时，在第二NMOS晶体管(12)、第二PMOS晶体管(13)、NMOS体控制电路(14)与PMOS(15)控制电路作用下，施密特触发器呈现出高开关阈值V+。同样，当输入信号为高电平电平时，在第二NMOS晶体管(12)、第二PMOS晶体管(13)、NMOS体控制电路(14)与PMOS(15)控制电路作用下，施密特触发器呈现出低开关阈值V-。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910021068.7

申请日期：2009-02-06

公开/公告号：CN101488736

公开/公告日：2009-07-22

主分类号：H03K3/3565(2006.01)I

申请/专利权人:中国航天时代电子公司第七七一研究所

发明/设计人:苏 强;吴龙胜;刘文平;汪西虎

主申请人地址:710054陕西省西安市太乙路189号

专利代理机构:西安通大专利代理有限责任公司

代理人:朱海临

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

1. 一种动态体偏置施密特触发器电路，包括第一PMOS晶体管(11)、第二PMOS晶体管(13)、第三PMOS晶体管(17)、第一NMOS晶体管(10)、第NMOS晶体管(12)、第三NMOS晶体管(16)，其特征在于，所述第二PMOS晶体管(13)的栅极接节点(C)，源极接高电平端VDD，漏极接第一PMOS晶体管(11)的体区(A)；第NMOS晶体管(12)的栅极接节点(C)，源极接公共端GND，漏极接第一NMOS晶体管(10)的体区(B)；所述第一PMOS晶体管(11)的体区(A)通过一个PMOS体控制电路(15)连接至输出端(D)；所述第一NMOS晶体管(10)的体区(B)通过一个NMOS体控制电路(14)连接至输出端(D)，NMOS体控制电路(14)和PMOS体控制电路(15)在施密特触发器由低电平到高电平转换过程中，使第一NMOS晶体管(10)的体区(B)电压为0，第一PMOS晶体管(11)的体区(A)电压略大于VDD-Vpon，Vpon为第一PMOS晶体管(11)源体PN结的开启电压；在施密特触发器在由高电平到低电平转换过程中，使第一NMOS晶体管(10)的体区(B)电压略小于第一NMOS晶体管(10)体源PN结的开启电压Vnon，第一PMOS晶体管(11)的体区(A)电压为VDD；从而实现施密特触发器在电平转换过程中表现出不同的开关阈值。