加热装置、定影装置和成像装置

摘要：

本发明涉及加热装置、定影装置和成像装置。该加热装置包括：产生磁场的磁场发生单元；发热构件，该发热构件通过所述磁场的电磁感应而发热，并具有厚度比趋肤深度薄的发热层；温敏构件，该温敏构件包括温敏磁性构件，该温敏磁性构件的导磁率从导磁率变化开始温度开始连续减小，该导磁率变化开始温度位于大于等于设定温度并小于等于耐热温度的温度区域内；以及接近/分离机构，该接近/分离机构在所述温敏构件的温度达到设定温度之前将所述温敏构件保持在与所述发热构件分离的状态下，并在所述温敏构件达到设定温度时和之后使所述温敏构件接触所述发热构件。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910009753.8

申请日期：2009-02-02

公开/公告号：CN101587320

公开/公告日：2009-11-25

主分类号：G03G15/20(2006.01)I

申请/专利权人:富士施乐株式会社

发明/设计人:马场基文

主申请人地址:日本东京

专利代理机构:北京三友知识产权代理有限公司

代理人:党晓林

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1、一种加热装置，该加热装置包括：产生磁场的磁场发生单元；发热构件，该发热构件布置成面对所述磁场发生单元，并通过所述磁场的电磁感应而发热，且具有厚度比趋肤深度簿的发热层；温敏构件，该温敏构件布置成面对所述发热构件的与所述磁场发生单元所处一侧相反的一侧，并通过所述磁场的电磁感应而发热，且包括温敏磁性构件，该温敏磁性构件的导磁率从导磁率变化开始温度开始连续减小，该导磁率变化开始温度位于大于等于设定温度并小于等于耐热温度的温度区域内；以及接近/分离机构，该接近/分离机构在所述温敏构件的温度达到所述设定温度之前将所述温敏构件保持在与所述发热构件分离的状态下，并在所述温敏构件达到所述设定温度时和之后使所述温敏构件接触所述发热构件。