使用非晶态硅感光体的图像形成装置

摘要：

本发明提供一种使用非晶态硅感光体的图像形成装置。所述图像形成装置包括含有非晶态硅感光体的图像形成部。所述非晶态硅感光体包括基体以及设置在所述基体上的感光层。所述感光层包括在基体上顺序层叠的、高电阻层、阻止电荷注入层、光导电层和表面保护层。所述高电阻层的膜厚在1～4μm的范围内。所述感光层的膜厚在15～25μm的范围内，且所述感光层的固体光电位的绝对值在20～100V的范围内。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910008781.8

申请日期：2009-03-09

公开/公告号：CN101539735

公开/公告日：2009-09-23

主分类号：G03G15/00(2006.01)I

申请/专利权人:京瓷美达株式会社

发明/设计人:石原力;高上爱

主申请人地址:日本大阪府

专利代理机构:北京信慧永光知识产权代理有限责任公司

代理人:李雪春%武玉琴

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1.一种图像形成装置，其特征在于，所述图像形成装置包括具有非晶态硅感光体的图像形成部，所述非晶态硅感光体包括：基体；以及感光层，设置在所述基体上，该感光层包括在基体上顺序层叠的高电阻层、阻止电荷注入层、光导电层和表面保护层；其中，所述高电阻层的膜厚在1～4μm的范围内，所述感光层的膜厚在15～25μm的范围内，且所述感光层的固体光电位的绝对值在20～100V的范围内。