制造远紫外光刻掩模的方法

摘要：

一种制造远紫外(EUV)光刻掩模的方法，包括：在衬底上形成反射层、吸收层和抗蚀剂层；通过以固定间距部分分割所述抗蚀剂层来限定多个分割区域；实施曝光工艺，其中在分割区域上用不同强度的电子束辐射曝光区域，以产生注入抗蚀剂层的电子束剂量差异；通过实施显影工艺来移除其中注入电子束剂量的抗蚀剂层的一部分，形成选择性暴露吸收层并具有倾斜侧壁外形的抗蚀剂层图案；和通过依次蚀刻通过所述抗蚀剂层图案暴露的吸收层的部分来形成具有倾斜侧壁外形的吸收层图案。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910008703.8

申请日期：2009-01-21

公开/公告号：CN101609253

公开/公告日：2009-12-23

主分类号：G03F1/14(2006.01)I

申请/专利权人:海力士半导体有限公司

发明/设计人:吴宬贤;崔容奎

主申请人地址:韩国京畿道利川市

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:刘继富%顾晋伟

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

1.一种制造远紫外(EUV)光刻掩模的方法，包括：在衬底上依次形成反射层、吸收层和抗蚀剂层；限定所述抗蚀剂层的曝光区域；通过以规则间距部分分割所述曝光区域来限定多个分割区域；通过在所述各个分割区域上利用具有不同强度的电子束辐射所述曝光区域以产生注入所述抗蚀剂层的电子束剂量的差异，来实施曝光工艺；通过实施显影工艺来移除其中注入所述电子束剂量的所述抗蚀剂层的部分，形成选择性暴露所述吸收层和具有倾斜侧壁外形的抗蚀剂层图案；和通过依次蚀刻由所述抗蚀剂层图案暴露的所述吸收层的部分，形成具有倾斜侧壁外形的吸收层图案。