以较慢开关速度来保护晶体管单元的强韧半导体功率器件

摘要：

本发明公开了一种功率开关，其包括可控的快速开关半导体功率器件和慢速开关半导体功率器件，用以导通和关断通过其传送的电流。慢速开关半导体功率器件还包括一镇流电阻，用以提高慢速开关半导体功率器件的器件强度。在一种具体实施方式中，快速开关半导体功率器件包括一快速开关MOSFET，而慢速开关半导体功率器件包括一慢速开关MOSFET，其中，该慢速开关MOSFET还包括一源极镇流电阻。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910004154.7

申请日期：2009-02-13

公开/公告号：CN101527557

公开/公告日：2009-09-09

主分类号：H03K17/08(2006.01)I

申请/专利权人:万国半导体股份有限公司

发明/设计人:雷燮光;安荷·叭剌

主申请人地址:百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院

专利代理机构:上海新天专利代理有限公司

代理人:张静洁%王敏杰

国别省市代码:百慕大群岛;BM

权利要求：

1、一种功率开关，其特征在于，包括：可控的快速开关半导体功率器件和慢速开关半导体功率器件，用以导通和关断通过其传送的电流，其中，所述的慢速开关半导体功率器件被设置来用于提高所述功率开关的器件强度。