光掩模、半导体器件制造系统和半导体器件制造方法

摘要：

本发明公开了一种光掩模、半导体器件制造系统和半导体器件制造方法，其即使在主特征随机设置的情况下也能够抑制聚焦深度的恶化。次特征由位于外部四边形内部的四边形次特征置换，该外部四边形包括原始次特征的最外部分作为其外围的一部分。置换后的次特征优选为方形，其侧边的长度根据相关联的外部四边形的长度确定。置换后的次特征的中心位置优选地与外部四边形的中心或者包括原始次特征的区域的重心相一致。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910003947.7

申请日期：2009-01-23

公开/公告号：CN101539720

公开/公告日：2009-09-23

主分类号：G03F1/14(2006.01)I

申请/专利权人:株式会社瑞萨科技

发明/设计人:南出步;茂庭明美;坂井淳二郎;石桥学

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京市金杜律师事务所

代理人:王茂华

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1.一种光掩模，用于利用曝光单元将图案转印到衬底，所述光掩模包括：多个主特征，设置在与要转印到所述衬底的所述图案对应的位置处；多个第一次特征，与所述主特征的任何侧边相关联并且设置在与相关联的侧边间隔有预定距离的位置处；以及一个第二次特征，设置在与当虚拟设置时形成相互重叠部分的所述第一次特征相关联的位置处，所述第二次特征设置为对所述第一次特征的替代，其中所述第二次特征的属性基于所虚拟设置的与所述第二次特征相关联的所有第一次特征的属性来确定。