声波元件的制造方法

摘要：

本发明提供一种频率温度特性(TCF：Temperature?Coefficientof?Frequency)优良、且IDT图案的加工精度高、能够耐受200℃以上的高温处理的声波元件的制造方法。本发明的声波元件的制造方法的特征在于包括如下步骤：在压电基片(1)的一个主面(1a)上形成IDT(2)；以及在形成IDT(2)的压电基片(1)的另一个主面(1b)上，通过喷镀使具有比压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料(3)而成膜。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200880125278.4

申请日期：2008-11-26

公开/公告号：CN101971491A

公开/公告日：2011-02-09

主分类号：H03H3/10(2006.01)I

申请/专利权人:株式会社村田制作所

发明/设计人:冬爪敏之;西埜太郎;山崎央;田村登;市川半;有贺正树

主申请人地址:日本京都府

专利代理机构:北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015

代理人:齐永红

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种声波元件的制造方法，其特征在于，包括：在压电基片的一个主面上，形成梳状电极的步骤；以及，在形成了梳状电极之后的压电基片的另一个主面上，通过喷镀使具有比所述压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料成膜的步骤。