光致抗蚀剂组合物

摘要：

本申请涉及包含以下组分的组合物：a)含酸不稳定基团的聚合物；b)选自(i)、(ii)和它们的混合物的化合物，其中(i)是Ai Xi Bi，(ii)是Ai Xi1；和c)通式Ai Xi2的化合物，其中Ai、Bi、Xi、Xi1和Xi2在本文中进行了限定。该组合物可用于半导体工业。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200880004361.6

申请日期：2008-02-06

公开/公告号：CN101606102

公开/公告日：2009-12-16

主分类号：G03F7/004(2006.01)I

申请/专利权人:AZ电子材料美国公司

发明/设计人:M·派德马纳班;S·查克拉帕尼

主申请人地址:美国新泽西

专利代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人:王 健

国别省市代码:美国;US

权利要求：

1.可用于在深UV中成像的光致抗蚀剂组合物，其包含：a)含酸不稳定基团的聚合物；b)选自(i)、(ii)和它们的混合物的化合物，其中(i)是Ai Xi Bi，(ii)是Ai Xi1，其中Ai和Bi各自单独地是有机鎓阳离子；Xi是以下通式的阴离子Q-R500-SO3-其中Q选自-O3S和-O2C；和R500是选自线性或支化的烷基、环烷基、芳基或它们的结合物的基团，它们任选地包含悬链O、S或N，其中该烷基、环烷基和芳基是未取代的或被一个或多个选自以下的基团取代：卤素、未取代或取代的烷基、未取代或取代的C1-8全氟烷基、羟基、氰基、硫酸酯和硝基；Xi1是选自CF3SO3-、CHF2SO3-、CH3SO3-、CCl3SO3-、C2F5SO3-、C2HF4SO3-、C4F9SO3-、樟脑磺酸根、全氟辛烷磺酸根、苯磺酸根、五氟苯磺酸根、甲苯磺酸根、全氟甲苯磺酸根、(Rf1SO2)3C-和(Rf1SO2)2N-，其中每个Rf1独立地选自高度氟化或全氟化的烷基或氟化芳基并且当任何两个Rf1基的组合连接形成桥时可以是环状的，此外，Rf1烷基链含有1-20个碳原子并且可以是直链、支链或环状的，满足二价氧、三价氮或六价硫可以中断骨架链，进一步当Rf1含有环状结构时，此种结构具有5或6个环成员，任选地，环成员中1或2个是杂原子，其中烷基是未取代的、取代的、任选含一个或多个悬链氧原子、部分氟化或全氟化的；和其中该有机鎓阳离子选自和Y-Ar