低老化率石英晶体谐振器

摘要：

本实用新型涉及晶体谐振器技术领域，特别涉及低老化率石英晶体谐振器，它包括基座、晶片，晶片固定于基座上，晶片的表面具有经刻蚀的镀膜层；由于晶片的表面具有经刻蚀的镀膜层，镀膜层的致密性比较好，所以能够有效降低产品的年老化率，适用于精度要求高、工差要求严的产品上。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820204452.1

申请日期：2008-12-02

公开/公告号：CN201298831

公开/公告日：2009-08-26

主分类号：H03H9/19(2006.01)I

申请/专利权人:东莞惠伦顿堡电子有限公司

发明/设计人:赵积清;刘国强;金 奇;邢 越

主申请人地址:523758广东省东莞市黄江镇鸡啼岗金钱岭第二工业区东莞惠伦顿堡电子有限公司

专利代理机构:东莞市华南专利商标事务所有限公司

代理人:梁永宏

国别省市代码:广东;44

权利要求：

1、低老化率石英晶体谐振器，它包括基座(20)、晶片(40)，晶片(40)固定于基座(20)上，其特征在于：晶片(40)的表面具有经刻蚀的镀膜层。