可控硅复合开关电路装置

摘要：

本实用新型公开一种可控硅容性负载过零导通电路装置。其包括并联连接的可控硅采样电路及磁保持继电器，还包括顺序连接的如下电路：一个电容电压波形整形电路，将可控硅采样电路采样到的电容电压信号转换为全波整流信号；一个过零信号生成以及光电隔离电路，将该全波整流信号转换为窄脉冲信号；一个反向整形电路，将该窄脉冲信号倒相；一个可控硅保护门电路以及触发驱动器，将该倒相窄脉冲信号连接到可控硅的控制栅，作为可控硅过零导通的控制信号。本实用新型可以阻止任何过零点时刻以外的误触发信号，确保可控硅不会因误触发而被烧毁。而且制作，调试，使用都非常方便，所增加的元器件的价格也较低廉。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820185291.6

申请日期：2008-08-28

公开/公告号：CN201274463

公开/公告日：2009-07-15

主分类号：H03K17/72(2006.01)I

申请/专利权人:无锡市凯灵电气有限责任公司

发明/设计人:瞿明园

主申请人地址:214187江苏省无锡市惠山区洛社雅西

专利代理机构:无锡华源专利事务所

代理人:聂汉钦

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

1. 可控硅复合开关电路装置，该装置包括并联连接的可控硅采样电路及磁保持继电器，其特征是还包括顺序连接的如下电路：一个电容电压波形整形电路，将可控硅采样电路采样到的电容电压信号转换为全波整流信号；一个过零信号生成以及光电隔离电路，将该全波整流信号转换为窄脉冲信号；一个反向整形电路，将该窄脉冲信号倒相；一个可控硅保护门电路以及触发驱动器，将该倒相窄脉冲信号连接到可控硅的控制栅，作为可控硅过零导通的控制信号。