射频信号前置放大电路

摘要：

本实用新型揭示一种射频信号前置放大电路，该放大电路可与解码器集成到同一IC中，包括第一MOS晶体管(M1)，第二MOS晶体管(M2)，第三MOS晶体管(M3)及第四MOS晶体管(M4)，其中第一MOS晶体管及第二MOS晶体管的栅极相互连接在一起，以形成差分放大对而对输入信号进行放大；第三MOS晶体管及第四MOS晶体管的源极与栅极也分别连接在一起，且第四MOS晶体管的漏极与栅极也相连接以形成电流镜电路；待放大的输入信号及放大后的输出信号分别连接在第一晶体管的源极及漏极上，本实用新型放大电路耗电低，稳定性佳，且可以增大信号的收发距离。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820180457.5

申请日期：2008-12-03

公开/公告号：CN201319582

公开/公告日：2009-09-30

主分类号：H03F3/195(2006.01)I

申请/专利权人:苏州市华芯微电子有限公司

发明/设计人:陈志明;杜 坦;石万文;江石根

主申请人地址:215011江苏省苏州市新区滨河路625号A座3楼

专利代理机构:北京华夏博通专利事务所

代理人:安纪平

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

1.一种射频信号前置放大电路，其特征在于：该放大电路包括第一MOS晶体管(M1)，第MOS晶体管(M2)，第三MOS晶体管(M3)及第四MOS晶体管(M4)，其中第一MOS晶体管(M1)及第二MOS晶体管(M2)的栅极相互连接在一起，以形成差分放大对而对输入信号进行放大；第三MOS晶体管(M3)及第四MOS晶体管(M4)的漏极分别与第一MOS晶体管(M1)及第MOS晶体管(M2)的漏极相连，且第三MOS晶体管(M3)及第四MOS晶体管(M4)的源极与栅极也分别连接在一起，同时第四MOS晶体管(M4)的漏极与栅极也相连接以形成电流镜电路；待放大的输入信号(IN)及放大后的输出信号(GG_OUT)分别连接在第一MOS晶体管(M1)的源极及漏极上。