AB类LDMOS线性功率放大器的效率调整装置

摘要：

本实用新型公开了一种AB类LDMOS线性功率放大器的效率调整装置包括：耦合器，连接至载频输入端，用于对输入其中的载频信号进行功率耦合并输出得到的耦合信号；检波器，连接至耦合器，用于将耦合器输出的耦合信号转换为电压信号并输出电压信号；栅极偏置电路，连接至检波器，用于对检波器输出的电压信号进行电压调整，并将调整后的电压信号输出到LDMOS功率晶体管的栅极，其中，LDMOS的栅极连接至载频输入端。本实用新型通过耦合器、检波器、和栅极偏置电路来调整LDMOS功率晶体管的栅极电压，能够有效改变LDMOS功率晶体管的静态工作点，从而以低成本、简单易行的方式有效提高了LDMOS功率晶体管的大的工作效率。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820175445.3

申请日期：2008-10-30

公开/公告号：CN201303314

公开/公告日：2009-09-02

主分类号：H03F1/02(2006.01)I

申请/专利权人:中兴通讯股份有限公司

发明/设计人:杨 科;张 瑾

主申请人地址:518057广东省深圳市南山区科技南路55号

专利代理机构:北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人:尚志峰%吴孟秋

国别省市代码:广东;44

权利要求：

1.一种AB类侧面扩散金属氧化物半导体线性功率放大器的效率调整装置，其特征在于，包括：耦合器，连接至载频输入端，用于对输入其中的载频信号进行功率耦合并输出得到的耦合信号；检波器，连接至所述耦合器，用于将所述耦合器输出的所述耦合信号转换为电压信号并输出所述电压信号；栅极偏置电路，连接至所述检波器，用于对所述检波器输出的所述电压信号进行电压调整，并将调整后的所述电压信号输出到侧面扩散金属氧化物半导体功率晶体管的栅极，其中，所述侧面扩散金属氧化物半导体的所述栅极连接至所述载频输入端。