一种源跟随器及其工艺结构，及共模电平平移电路

摘要：

本实用新型提供了一种源跟随器包括一NMOS晶体管和电流源，其特征在于所述的NMOS的栅极作为输入端，漏极连接电源，源极连接电流源，电流源接地，NMOS的衬底和NMOS源极短接。本实用新型还提供了一种源跟随器的工艺结构，包括P衬底、P阱、P扩散以及N扩散，其特征在于采用独立的N阱、N埋层、P埋层将P衬底同P扩散隔离开，实现NMOS的P阱电位和源极的连接。本实用新型所述的源跟随器能够减小体效应，减小源漏电压，该源跟随器适合低电压工作。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820166833.5

申请日期：2008-10-22

公开/公告号：CN201319583

公开/公告日：2009-09-30

主分类号：H03F3/50(2006.01)I

申请/专利权人:杭州士兰微电子股份有限公司

发明/设计人:潘华兵

主申请人地址:310012浙江省杭州市黄姑山路4号(高新区)

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

1.一种源跟随器包括一NMOS晶体管和电流源，其特征在于所述的NMOS的栅极作为输入端，漏极连接电源，源极连接电流源，电流源接地，NMOS的衬底和NMOS源极短接。