低老化率小型高稳恒温晶振

摘要：

本实用新型公开了一种低老化率小型高稳恒温晶振，其特征在于，包括晶体振荡电路，所述晶体振荡电路由主振级电路、匹配网络、幅度放大器、输出电路和隔离网络五部分依次串接组成；所述的主振级电路中的振荡管为场效应管；还包括控温电路；本低老化率小型高稳恒温晶振的体积小于等于15cm³；老化率为10^-11/日；短期稳定度为5×10^-12/S；工作频率为40MHz。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820158437.8

申请日期：2008-09-10

公开/公告号：CN201282448

公开/公告日：2009-07-29

主分类号：H03B5/36(2006.01)I

申请/专利权人:长沙太阳人电子有限公司

发明/设计人:单涨国

主申请人地址:410205湖南省长沙市岳麓区桐梓坡路229号麓谷国际工业园A1栋3楼

专利代理机构:长沙市融智专利事务所

代理人:颜 勇

国别省市代码:湖南;43

权利要求：

1、一种低老化率小型高稳恒温晶振，其特征在于，包括晶体振荡电路，所述晶体振荡电路由主振级电路、匹配网络、幅度放大器、输出电路和隔离网络五部分依次串接组成；所述的主振级电路中的振荡管为场效应管。