大容量开关驱动电路

摘要：

一种大容量开关驱动电路，其特征在于它包括实现信号整形和反相功能的反相器1和反相器2电路、由晶体管PMOS1和晶体管PMOS2构成的输出驱动信号的电路以及需要驱动的高压开关电路；或者它包括实现信号整形和反相功能的反相器1电路、由晶体管PMOS1和晶体管PMOS2构成的输出驱动信号的电路以及需要驱动的高压开关电路；优越性在于：使用器件少，结构简单易于实现，其占用芯片的面积小，电路的驱动速度快，功耗低，开关的动作可靠性高；由于电源2与相对地之间的最大电压值设定为小于高压开关的栅极耐压值，使得高压驱动开关的栅极不会因为电源电压范围的变化过大而导致开关的栅极损坏的。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820145145.0

申请日期：2008-12-30

公开/公告号：CN201323560

公开/公告日：2009-10-07

主分类号：H03K17/081(2006.01)I

申请/专利权人:天津南大强芯半导体芯片设计有限公司

发明/设计人:张小兴;吕英杰;戴宇杰

主申请人地址:300457天津市开发区宏达街23号泰达学院五区四楼

国别省市代码:天津;12

权利要求：

1、一种大容量开关驱动电路，其特征在于它包括实现信号整形和反相功能的反相器1和反相器2电路、由晶体管PMOS1和晶体管PMOS2构成的输出驱动信号的电路以及需要驱动的高压开关电路；其中，所说的反相器1和反相器2的电源端子分别与电源1连接，反相器1和反相器2的地端子分别与公共地连接；所说的反相器1的输入端子接收输入信号，其输出端子与反相器2的输入端子以及晶体管PMOS1的栅极连接；所说的反相器2的输出端子与晶体管PMOS2的栅极连接；所说的晶体管PMOS1和晶体管PMOS2构成的输出驱动信号的电路中，晶体管PMOS1的源极和阱分别与电源2连接，其栅极与反相器1的输出端子连接，漏极与高压开关电路的输入端连接；所说的晶体管PMOS2的源极和阱分别与高压开关电路的输入端连接，其栅极与反相器2的输出端子连接，漏极与相对地端子连接。