信号预放大器电路

摘要：

一种信号预放大器电路，包括晶体管NMOS3、晶体管NMOS4和晶体管NMOS5，其特征在于信号预放大器电路的负载为晶体管NMOS1和晶体管NMOS2；本实用新型的优越性在于：1.这种电路的负载特性受半导体工艺和温度变化的影响很小，可以工作的输入共模电压范围宽，信号传送速度快，增益倍数也相对稳定；2.电路结构简单，易于实现，可靠性高；3.适用于复杂电路的每个部位的信号传送和放大。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820145123.4

申请日期：2008-12-30

公开/公告号：CN201323555

公开/公告日：2009-10-07

主分类号：H03F3/45(2006.01)I

申请/专利权人:天津南大强芯半导体芯片设计有限公司

发明/设计人:戴宇杰;吕英杰;张小兴;孙俊岳

主申请人地址:300457天津市开发区宏达街23号泰达学院五区四楼

国别省市代码:天津;12

权利要求：

1、一种信号预放大器电路，包括晶体管NMOS3、晶体管NMOS4和晶体管NMOS5，其特征在于信号预放大器电路的负载为晶体管NMOS1和晶体管NMOS2；其中，晶体管NMOS3和晶体管NMOS5作为放大器电路的差分输入端子；所说的晶体管NMOS5的栅极连接偏置电压，通过偏置电压产生电路动作的直流电流，晶体管NMOS5的源极则接地；所说的晶体管NMOS1的栅极和漏极及晶体管NMOS2的栅极和漏极分别与电源相连；所说的晶体管NMOS1的漏极和晶体管NMOS3的源极分别与放大器电路的反相输出端子相连；所说的晶体管NMOS2的漏极和晶体管NMOS4的源极与放大器电路的正相输出端子相连；所说的晶体管NMOS3的栅极与放大器电路的正相输入端子相连；所说的晶体管NMOS4的栅极与放大器电路的反相输入端子相连；所说的晶体管NMOS3的源极与晶体管NMOS4的源极及晶体管NMOS5的漏极相连；所说的晶体管NMOS1的衬底、晶体管NMOS2的衬底、晶体管NMOS3的衬底、晶体管NMOS4的衬底及晶体管NMOS5的衬底分别与地相连。