一种可控硅控制电路

摘要：

本实用新型涉及一种可控硅控制电路，包括可控硅，所述可控硅的触发端与MCU输入/输出口之间连接有电容C1，可控硅的触发端与地之间还连接有二极管D1，所述二极管D1的正极与可控硅的触发端相连、负极与地相连。由于本实用新型的可控硅控制电路使得可控硅工作在二、三象限，降低能耗，减少成本；由于本实用新型的可控硅控制电路采用脉冲驱动比电平驱动更省电，所以适用于节能控制；当系统出现故障时I/O1口输出一持续的电平时，因为有耦合电容C1的存在，电压无法耦合到可控硅触发端，可控硅触发端无触发电压，自动关断，提高了电路的安全控制。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820096147.5

申请日期：2008-08-04

公开/公告号：CN201266915

公开/公告日：2009-07-01

主分类号：H03K17/72(2006.01)I

申请/专利权人:深圳和而泰智能控制股份有限公司

发明/设计人:王 勇;董晓勇;刘建伟;汪显方;白清利

主申请人地址:518000广东省深圳市南山区高新区科技南十路深圳航天科技创新研究院D座10楼

专利代理机构:深圳市顺天达专利商标代理有限公司

代理人:易 钊

国别省市代码:广东;44

权利要求：

1、一种可控硅控制电路，包括双向可控硅，其特征在于，所述可控硅的触发端与MCU输入/输出口之间连接有电容C1，可控硅的触发端与地之间还连接有二极管D1，所述二极管D1的正极与可控硅的触发端相连、负极与地相连。