一种施密特触发器

摘要：

本实用新型公开了一种施密特触发器，尤其适用于弛张振荡器电路。该施密特触发器电路包括四个CMOS反相器和一个RS触发器电路。反相器用于对施密特触发器高低翻转阈值的检测，RS触发器电路实现电路翻转状态之间的迟滞。本实用新型的施密特触发器电路具有与传统施密特触发器电路相似的电源电压依赖特性，但是有更加优异的温度特性，而且具有使用方便，抗器件特性退化，性能稳定的特点。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820066742.4

申请日期：2008-04-24

公开/公告号：CN201191817

公开/公告日：2009-02-04

主分类号：H03K3/037(2006.01)I

申请/专利权人:华中科技大学

发明/设计人:邹志革;黎 明;李文海;刘 尧;竺明达;邹雪城

主申请人地址:430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

专利代理机构:华中科技大学专利中心

代理人:曹葆青

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

1、一种施密特触发器，其特征在于：它包括RS触发器(103)和第一至第四CMOS反相器(101、102、104、105)；第一、第二CMOS反相器(101、102)的输入端相连，作为触发器的输入端，第一CMOS反相器(101)的输出端连接RS触发器(103)的S输入端，第二CMOS反相器(102)的输出端连接第三CMOS反相器(104)的输入端，第三CMOS反相器(104)的输出端连接RS触发器(103)的R输入端，RS触发器(103)的第一输出端(Q)连接第四CMOS反相器(105)的输入端，第四CMOS反相器(105)的输出端作为一个总输出端，RS触发器(103)的第二输出端(Q~)作为另一个总输出端，它与RS触发器(103)的第一输出端(Q)的状态相反；第一CMOS反相器(101)中NMOS管N1的宽长比(W/L)N1与PMOS管P1的宽长比(W/L)P1的比值 id="icf0001" file="Y2008200667420002C1.tif" wi="14" he="9" top= "125" left = "138" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>为1～5，第二CMOS反相器(102)中的NMOS管N2的宽长比(W/L)N2与PMOS管P2的宽长比