光刻机曝光系统

摘要：

本实用新型涉及半导体制造领域，为一种光刻机曝光系统及其控制方法。它包括LED光源、曝光控制系统、上位机等，系统与上位机连接，上位机输出控制信号至空间图形发生器SLM，空间图形发生器SLM产生曝光图形，LED光源发出的光束经过光路组件A、空间图形发生器SLM、光路组件B、分束器、物镜后照射基片，光电探测器B检测分束器分出的光束信号并将输出送至曝光控制系统，曝光控制系统的输出送至驱动电路，驱动电路的输出送至LED光源以控制其输出光功率和曝光剂量。它克服了现有技术中曝光功率波动对曝光剂量的影响等问题，具有曝光剂量控制精度高、体积小、功耗低、无机械运动部件、反应迅速、寿命长、成本低等优点。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200820032796.9

申请日期：2008-02-27

公开/公告号：CN201194068

公开/公告日：2009-02-11

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:芯硕半导体(中国)有限公司

发明/设计人:胡 钰

主申请人地址:230601安徽省合肥市经济技术开发区乡村花园会所二楼

专利代理机构:合肥金安专利事务所

代理人:金惠贞

国别省市代码:安徽;34

权利要求：

1、光刻机曝光系统，包括LED光源[1]、曝光控制系统[2]、驱动电路[3]、光电探测器A[4]、光电探测器B[5]、分束器[6]、光路组件A[7]、光路组件B[8]、空间图形发生器SLM[9]、物镜[10]、上位机[11]，其特征在于：曝光控制系统[2]与上位机[11]连接，上位机[11]输出控制信号至空间图形发生器SLM[9]，空间图形发生器SLM[9]产尘曝光图形，LED光源[1]发出的光束经过光路组件A[7]、空间图形发生器SLM[9]、光路组件B[8]、分束器[6]、物镜[10]后照射基片[12]，光电探测器A[4]检测LED光源[1]的输出光信号并将输出送至驱动电路[3]，光电探测器B[5]检测分束器[6]分出的光束信号并将输出送至曝光控制系统[2]，曝光控制系统[2]的输出送至驱动电路[3]，驱动电路[3]的输出送至LED光源[1]以控制其输出光功率和曝光剂量。