一种超分辨i线光刻装置

摘要：

一种超分辨i线光刻装置，包含分离式曝光系统、自净化空气过滤系统以及气控弹性掩膜变形系统；曝光系统采用i线汞灯光源，且光源与匀光照明系统分离，两部分间光能传输通过光纤实现；气控弹性掩膜变形系统中，通过微气泵来改变气压大小使弹性掩膜发生变形，掩膜与芯片的紧密贴合通过控制弹性掩膜变形量的大小得以实现，从而可以得到超分辨光刻分辨力；自净化空气过滤系统，通过装置壳体顶部的空气过滤器循环过滤实现装置内部工作环境达到超净要求；通过包含上述系统的装置，实现在汞灯光源i线紫外光波长下突破一百纳米的超分辨近场光刻功能；该装置光刻分辨力高，结构简单，成本低，操作方便，对环境要求较低，适用于多种纳米结构加工领域。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810246604.9

申请日期：2008-12-30

公开/公告号：CN101446777

公开/公告日：2009-06-03

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院光电技术研究所

发明/设计人:罗先刚;王长涛;陈旭南;甘大春;刘 尧;赵泽宇;方 亮;邢 卉;崔建华

主申请人地址:610209四川省成都市双流350信箱

专利代理机构:北京科迪生专利代理有限责任公司

代理人:李新华%徐开翟

国别省市代码:四川;51

权利要求：

1、一种超分辨i线光刻装置，包括对准系统(4)，基片台系统(5)以及隔振系统(6)，其特征在于：还包括分离式曝光系统(1)，自净化空气过滤系统(2)和气控弹性掩膜变形系统(3)。