MOS管开关电容积分电路

摘要：

本发明公开了一种MOS管开关电容积分电路，P型MOS管M1、M2、M3及M4一起组成Cascode电流镜结构，M3的源极与电源相连，M3的栅极与M2的栅极相连，M3的漏极与M4的源极相连；M4的栅极与M1的栅极相连，M4的漏极与参考电流源lref的输出端相连；M2的源极与电源相连，M2的漏极与M1的源极相连；M1的漏极接输出端；P型MOS管M1、M2、M3、M4的衬底均与电源连接，开关K的两端分别与M1的栅极和M4的栅极相连，或者开关K的两端分别与M3的栅极和M4的漏极连接。本发明极大程度的提高了输出精度；在不改变电路结构的前提下，它既可以作为线性DAC使用，也可以作为非线性DAC使用，而且可以实现任意的转换精度；它既可以用于电压驱动，也可以用于电流驱动。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810231674.7

申请日期：2008-10-10

公开/公告号：CN101409546

公开/公告日：2009-04-15

主分类号：H03K17/687(2006.01)I

申请/专利权人:西安理工大学

发明/设计人:吴 兰;余宁梅

主申请人地址:710048陕西省西安市金花南路5号

专利代理机构:西安弘理专利事务所

代理人:罗 笛

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

1、一种MOS管开关电容积分电路，P型MOS管M1、M2、M3、M4组成Cascode电流镜结构，M3的源极与电源相连，M3的栅极和M2的栅极相连，M3的漏极与M4的源极相连，M3的栅极与M4的漏极相连；M4的漏极与参考电流源lref的输出端相连；M2的源极与电源相连，M2的漏极与M1的源极相连M1的漏极与输出端相连；P型MOS管M1、M2、M3、M4的衬底均与电源连接，其特征在于：开关K1的两端分别与M1的栅极和M4的栅极相连。