一种纳米尺度图形的制作方法

摘要：

本发明是关于一种纳米尺度图形的制作方法，该方法包括以下步骤：A.对待处理的衬底进行表面清洁及热处理；B.在衬底表面上涂敷电子束光刻抗蚀剂层，并进行曝光前的预处理；C.对上述的电子束光刻抗蚀剂层按照预设的图形在单线直写曝光模式下进行电子束直写曝光；D.对曝光后的电子束光刻抗蚀剂进行显影、定影及干燥。本发明通过电子束直写单线曝光模式在抗蚀剂层中形成纳米尺度图形结构，并可以通过后继相应的图形转移工艺实现纳米尺度结构的制作。单线曝光模式避免了通常使用的面曝光方式中曝光点均匀分布对图形分辨率的限制，实现了在平面上两个维度上对曝光点分布的灵活调控，可以达到电子束直写曝光的极限分辨率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810223398.X

申请日期：2008-09-27

公开/公告号：CN101382733

公开/公告日：2009-03-11

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:赵 珉;陈宝钦;刘 明;牛洁斌

主申请人地址:100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

专利代理机构:北京市德权律师事务所

代理人:王建国

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种纳米尺度图形的制作方法，其特征在于其包括以下步骤：A、对待处理的衬底进行表面清洁及热处理；B、在衬底表面上涂敷电子束光刻抗蚀剂层，并进行曝光前的预处理；C、对上述的电子束光刻抗蚀剂层按照预设的图形进行电子束直写曝光；D、对曝光后的电子束光刻抗蚀剂进行显影、定影及干燥。