一种采用LIGBT输出级的集成电路

摘要：

本发明涉及一种采用LIGBT输出级的集成电路，其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级，所述LDMOS输出级与LIGBT输出级的栅极与控制电路连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级的源极与LIGBT输出级的阴极连接，所述LDMOS输出级的漏极与LIGBT输出级的阳极连接。由于LDMOS器件耐压与导通电阻之间的矛盾，使LDMOS作为集成电路输出级时，具有较大的导通电阻，增加了集成电路输出级的导通损耗。本发明采用具有电导调制效应的LIGBT输出级，降低输出级单位面积的导通电阻，提高输出级单位面积的电流能力，从而减小集成电路面积及节约芯片成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810217389.X

申请日期：2008-11-19

公开/公告号：CN101420219

公开/公告日：2009-04-29

主分类号：H03K17/567(2006.01)I

申请/专利权人:深圳市联德合微电子有限公司

发明/设计人:乔 明;赵 磊;张 波

主申请人地址:518057广东省深圳市高新区科技南6路29栋南座4B

专利代理机构:深圳市顺天达专利商标代理有限公司

代理人:郭伟刚

国别省市代码:广东;44

权利要求：

1、一种采用LIGBT输出级的集成电路，其特征在于，包括控制电路(1)以及LDMOS输出级(6)与LIGBT输出级(7)，所述LDMOS输出级(6)及LIGBT输出级(7)的栅极与控制电路(1)连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级(6)的源极与LIGBT输出级(7)的阴极连接，所述LDMOS输出级(6)的漏极与LIGBT输出级(7)的阳极连接。