光刻方法及掩模装置

摘要：

本发明涉及光刻方法及掩模装置。一种用于在器件上生成多个字符的光刻方法使用包括多个光刻掩模的掩模组，其中每个掩模包括围绕非不透明掩模字符区域的至少一个非不透明掩模字符场区域。顺序利用掩模通过掩模组使光致抗蚀剂曝光于辐射能量密度，从而生成光致抗蚀剂的至少一个字符场区域、及光致抗蚀剂的字符区域。最后，因为光致抗蚀剂的字符区域在每个掩模曝光步骤期间曝光于来自非不透明掩模字符场区域的一些光能量密度，生成字符串的总的光致抗蚀剂曝光时间小于现有技术。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810213774.7

申请日期：2008-09-04

公开/公告号：CN101382735

公开/公告日：2009-03-11

主分类号：G03F7/14(2006.01)I

申请/专利权人:日立环球储存科技荷兰有限公司

发明/设计人:玛丽·K·格特伯雷特;兰博德·纳德;迈克尔·A·帕克;道格拉斯·J·沃纳

主申请人地址:荷兰阿姆斯特丹

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:张 波

国别省市代码:荷兰;NL

权利要求：

1. 一种光刻掩模组，用于在器件上生成多个字符，该掩模组包括:多个光刻掩模，其中每个掩模包括至少一个掩模字符区域和围绕所述掩模字符区域的至少一个掩模字符场区域；其中每个所述掩模字符场区域具有大于零的辐射能量密度透射因子Tf，且其中每个掩模字符区域具有大于零的辐射能量密度透射因子Tc，使得每个掩模的每个掩模字符场区域和每个掩模字符区域不是不透明的。