亚波长结构的减反射膜的制备方法

摘要：

一种化工领域的亚波长结构的减反射膜的制备方法，包括如下步骤：步骤一，清洗硅片，烘干后冷却硅片至室温；步骤二，清洗多孔阳极氧化铝模板，在多孔阳极氧化铝模板上蒸镀脱模剂；步骤三，先慢速旋转硅片，使光刻胶均匀地在硅片表面铺开，然后高速下高速旋转硅片，甩掉多余的光刻胶，使得光刻胶减薄和均匀化；步骤四，将表面蒸镀了脱模剂的多孔阳极氧化铝模板与旋涂了均匀厚度光刻胶的硅片基底对准，然后将多孔阳极氧化铝模板压入光刻胶层中，采用紫外光光源对光刻胶进行曝光固化；步骤五，固化完毕后，剥离多孔阳极氧化铝模板，剥离后制成的光刻胶为减反射膜。本发明制得的减反射膜对宽波段的光线具有良好的减反射效果。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810201932.7

申请日期：2008-10-30

公开/公告号：CN101398618

公开/公告日：2009-04-01

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:上海交通大学

发明/设计人:黄其煜;任万春;杨旭一;苏 林;陈姗姗

主申请人地址:200240上海市闵行区东川路800号

专利代理机构:上海交达专利事务所

代理人:王锡麟%王桂忠

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种亚波长结构的减反射膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，使用超声对硅片进行清洗，烘干，然后冷却硅片至室温；步骤二，清洗多孔阳极氧化铝模板，在多孔阳极氧化铝模板上蒸镀脱模剂；步骤三，以400rpm-600rpm左右的速度下旋转硅片，使光刻胶均匀地在硅片表面铺开，然后以3000rpm-5000rpm左右的速度下高速旋转硅片，甩掉多余的光刻胶，使得光刻胶减薄和均匀化；步骤四，将表面蒸镀了脱模剂的多孔阳极氧化铝模板与旋涂了均匀厚度光刻胶的硅片基底对准，然后将多孔阳极氧化铝模板以3000Pa-4000Pa的压强压入光刻胶层中，采用紫外光光源对光刻胶进行曝光固化；步骤五，固化完毕后，在脱模剂的作用下，剥离多孔阳极氧化铝模板，剥离后，在光刻胶的表面留下规则排列的纳米点阵列，此制成的光刻胶为减反射膜。