半导体装置

摘要：

本发明“半导体装置”在维持绝缘栅双极型晶体管的开关特性及其低导通电阻的同时改善耐压特性，并减少占有面积。在用以抑制绝缘栅双极型晶体管(IGBT：2)断开时的空穴流入的P沟道MOS晶体管(PQ)的栅极电极节点(6)上，设置在IGBT的非导通状态时缓和施加在栅绝缘膜上的电压的电压缓和元件(1)。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810187433.7

申请日期：2008-12-29

公开/公告号：CN101594131

公开/公告日：2009-12-02

主分类号：H03K17/567(2006.01)I

申请/专利权人:三菱电机株式会社

发明/设计人:寺岛知秀

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司

代理人:何欣亭%王丹昕

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1.一种半导体装置，设有：第1双极型晶体管，具有与第1电极节点连接的第1导通节点、与第2电极节点连接的第2导通节点以及第1基极节点；第1导电型的第1绝缘栅型场效应晶体管，连接在所述第2电极节点与所述第1双极型晶体管的基极节点之间，根据控制信号选择导通，导通时将所述第2电极节点与所述第1双极型晶体管的基极节点电连接；第2导电型的第2绝缘栅型场效应晶体管，具有栅电极、与所述第1电极节点电连接的第3导通节点以及与所述第1双极型晶体管的基极节点电连接的第4导通节点，根据所述栅电极的电压与所述第1电极节点的电压而选择导通，导通时将所述第1电极节点与所述第1双极型晶体管的基极节点电连接；以及电压缓和元件，连接在所述第2电极节点与所述第2绝缘栅型场应晶体管的栅电极之间，在所述第1双极型晶体管的非导通时缓和在所述第2绝缘栅型场效应晶体管的栅绝缘膜上施加的电压。