光刻方法和设备

摘要：

多次图案化工艺采用相变材料，该相变材料的部分可转化成无定形态，且随后选择性去除留下的部分，以提供具有特征间距的高分辨率图案特征，该特征间距小于例如在采用单次曝光的传统图案化层中可利用的最小间距。用于该工艺的光刻设备可包括具有单个照明装置和单个图案化装置的曝光工具，该单个图案化装置通过单个曝光狭缝在扫描衬底上成像。可替换地，该曝光工具可具有多个照明装置和/或多个扫描互补图案化装置，该多个扫描互补图案化装置选择性地采用该扫描衬底上的多个曝光狭缝，以便于在单个衬底通道中的两次图案化。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810185623.5

申请日期：2008-12-17

公开/公告号：CN101464635

公开/公告日：2009-06-24

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:ASML控股股份有限公司%ASML荷兰有限公司

发明/设计人:哈里·休厄尔;焦厄夫·P·H·本斯乔伯

主申请人地址:荷兰维德霍温

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:王波波

国别省市代码:荷兰;NL

权利要求：

1. 一种用于图案转移的方法，包括：以辐射的第一剂量曝光提供在衬底上的相变材料层的第一部分，该辐射的第一剂量足以将该第一部分转化为无定形态；以辐射的第二剂量曝光该相变材料层的与该第一部分分离的第二部分，该辐射的第二剂量足以将该第二部分转化为无定形态；及去除该相变材料层的除该第一和第二部分外的部分，使得该第一和第二部分基本上是完整的，并定义图案。