半导体器件的精细构图方法

摘要：

本申请公开了一种半导体器件的精细构图方法。为了在集成电路制造期间进行构图，激活图像层而在两个最靠近的激活区域上各形成各自的第一种聚合物链段。在图像层上形成嵌段共聚物层，并且在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上，由嵌段共聚物形成多个第一种聚合物链段以及多个第二和第三种聚合物链段。去除第一、第二和第三种聚合物链段中的至少一种聚合物链段，以形成各种各样的掩模结构。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810183747.X

申请日期：2008-12-15

公开/公告号：CN101458461

公开/公告日：2009-06-17

主分类号：G03F7/26(2006.01)I

申请/专利权人:三星电子株式会社

发明/设计人:李时镛;金京泽;金贤友;尹东基

主申请人地址:韩国京畿道

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:戎志敏

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

1. 一种集成电路制造期间的构图方法，所述方法包括：激活图像层，从而在两个最靠近的激活区域各形成各自的第一种聚合物链段；在图像层上形成嵌段共聚物层；以及在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上，由嵌段共聚物形成多个第一种聚合物链段、多个第二种聚合物链段和多个第三种聚合物链段，其中，第一种聚合物链段、第二种聚合物链段和第三种聚合物链段是互不相同的种类。