光刻装置的浸没损坏控制

摘要：

一种光刻装置，包括：构造成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部上的投影系统；将浸没液体提供到投影系统的下游透镜和基底之间的空间的流体供给系统；以及检测浸没流体从流体供给系统的泄漏的泄漏检测系统，所述泄漏检测系统包括布置在流体供给系统的潜在泄漏区的两个相互绝缘的电导体，所述泄漏检测系统构造成通过测量相互绝缘的电导体之间的电容来检测泄漏。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810183314.4

申请日期：2006-06-28

公开/公告号：CN101424884

公开/公告日：2009-05-06

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:ASML荷兰有限公司

发明/设计人:F 范德穆伦;H H M 考克西;M 侯克斯;R J 范维烈特;S 尼蒂亚诺夫;P W J M 坎帕;R P H 哈尼格拉夫

主申请人地址:荷兰维德霍温

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:王波波

国别省市代码:荷兰;NL

权利要求：

1. 一种光刻装置，包括：构造成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部上的投影系统；将浸没液体提供到投影系统的下游透镜和基底之间的空间的流体供给系统；以及检测浸没流体从流体供给系统的泄漏的泄漏检测系统，所述泄漏检测系统包括布置在流体供给系统的潜在泄漏区的两个相互绝缘的电导体，所述泄漏检测系统构造成通过测量相互绝缘的电导体之间的电容来检测泄漏。