单层型电子照相感光体和图像形成装置
本发明提供单层型电子照相感光体和图像形成装置。所述单层型电子照相感光体包括基体和在基体上设置的单层感光层,感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂,空穴输送剂是用右述通式(1a)或(1b)表示的化合物,所述电子输送剂在25℃的条件下对四氢呋喃的溶解度为27~50质量%。通式(1a)中,R<sup>1</sup>~R<sup>4</sup>分别独立表示碳原子数为6~20的取代或非取代芳基,Ar<sup>1</sup>表示碳原子数为6~20的取代或非取代芳烯基,通式(1b)中,R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>分别独立表示碳原子数为6~20的取代或非取代芳基,Ar<sup>2</sup>表示碳原子数为6~20的取代或非取代芳烯基,R<sup>7</sup>以及R<sup>8</sup>中的至少一方可以与Ar<sup>2</sup>结合而形成环,在R<sup>7</sup>以及R<sup>8</sup>与Ar<sup>2</sup>不结合的情况下,R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>分别独立表示碳原子数为1~15的取代或非取代烷基、碳原子数为7~15的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为6~30的取代或非取代芳基,在R<sup>7</sup>以及R<sup>8</sup>中的至少一方与Ar<sup>2</sup>结合的情况下,与Ar<sup>2</sup>结合的R<sup>7</sup>以及R<sup>8</sup>分别独立表示碳原子数为1~15的取代或非取代亚烷基或者碳原子数为6~30的取代或非取代芳烯基,与Ar<sup>2</sup>不结合的R<sup>7</sup>或者R<sup>8</sup>表示碳原子数为1~15的取代或非取代烷基、碳原子数为7~15的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为6~30的取代或非取代芳基,n表示0或1的整数。由此,抑制膜化和黑斑,并且有效地发挥电荷输送剂具有的优良的输送电荷能力。
发明专利
CN200810180970.9
2008-11-20
CN101446780
2009-06-03
G03G5/047(2006.01)I
京瓷美达株式会社
浜崎一也;岩下裕子;冈田英树;市口哲也;宍户真
日本大阪府
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
李雪春%武玉琴
日本;JP
1. 一种单层型电子照相感光体,其特征在于包括:基体;和在所述基体上设置的单层感光层;其中,所述感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂,所述空穴输送剂是用下述通式(1a)或下述通式(1b)表示的化合物,所述电子输送剂在25℃的条件下对四氢呋喃的溶解度为27~50质量%,通式(1a)中,R1~R4分别独立表示碳原子数为6~20的取代或非取代芳基,Ar1表示碳原子数为6~20的取代或非取代芳烯基,通式(1b)中,R5、R6分别独立表示碳原子数为6~20的取代或非取代芳基,Ar2表示碳原子数为6~20的取代或非取代芳烯基,R7以及R8中的至少一方可以与Ar2结合而形成环,在R7以及R8与Ar2不结合的情况下,R7、R8分别独立表示碳原子数为1~15的取代或非取代烷基、碳原子数为7~15的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为6~30的取代或非取代芳基,在R7以及R8中的至少一方与Ar2结合的情况下,与Ar2结合的R7以及R8分别独立表示碳原子数为1~15的取代或非取代亚烷基或者碳原子数为6~30的取代或非取代芳烯基,与Ar2不结合的R7或者R8表示碳原子数为1~15的取代或非取代烷基、碳原子数为7~15的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为6~30的取代或非取代芳基,n表示0或1的整数。