光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要：

本发明提供可提高半导体元件的特性的光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法。半色调掩模(11)具有：掩模基材(12)；在掩模基材(12)上形成的、对来自曝光装置的曝光光的透过率进行调整的半透过膜(13)；和在半透过膜(13)上形成的、几乎完全遮住光的遮光膜(14)。遮光膜设置在与沟道区域相当的部分，并设置在与源极/漏极区域相当的半透过膜的周围。半导体装置的制造方法利用上述半色调掩模，将曝光光向抗蚀前体膜照射。然后，通过进行显影处理完成抗蚀膜(25)，该抗蚀膜具有：大致残留有曝光前的抗蚀前体膜的厚度的与遮光区域相当的部分(25a)、和残留有薄的抗蚀前体膜的与半透过区域相当的部分(25b)。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810177618.X

申请日期：2008-11-17

公开/公告号：CN101441404

公开/公告日：2009-05-27

主分类号：G03F1/00(2006.01)I

申请/专利权人:精工爱普生株式会社

发明/设计人:世良博;宫田崇

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:雒运朴%李 伟

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1. 一种光掩模，其特征在于，具有：遮挡光的遮光部；和控制所述光的强度的光强度差部，所述遮光部设置在所述光强度差部与透过所述光的透过区域的边界的至少一部分。