利用光刻胶模板掩模的频率加倍

摘要：

本发明描述了一种利用光刻胶模板掩模的频率加倍的方法。根据本发明的实施例，首先提供其上形成有光刻胶层的器件层。图案化光刻胶层以形成光刻胶模板掩模。间隔物形成材料层被沉积在光刻胶模板掩模上。间隔物形成材料层被刻蚀，以形成间隔物掩模并暴露光刻胶模板掩模。光刻胶模板掩模随后被去除，并且间隔物掩模的图像最终被转移到器件层。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810175121.4

申请日期：2008-10-27

公开/公告号：CN101539721

公开/公告日：2009-09-23

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:应用材料公司

发明/设计人:克里斯多佛·D·本彻尔;戴会雄;立彦·苗;陈 浩

主申请人地址:美国加利福尼亚州

专利代理机构:北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人:赵 飞%南 霆

国别省市代码:美国;US

权利要求：

1.一种用于图案化膜的方法，包括：在器件层上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层，以形成光刻胶模板掩模；将间隔物形成材料层沉积在所述光刻胶模板掩模上；刻蚀所述间隔物形成材料层，以形成间隔物掩模并暴露所述光刻胶模板掩模；去除所述光刻胶模板掩模；以及将所述间隔物掩模的图像转移到所述器件层。