制造半调相移掩模的方法

摘要：

本发明揭示了一种制造半调相移掩模的方法，通过在透明衬底上方顺序地形成相移层、第一光致抗蚀剂、金属层以及第二光致抗蚀剂，执行工艺以暴露该金属层的一部分；然后，采用该第二光致抗蚀剂作为掩模，执行蚀刻工艺以暴露衬底的一部分；然后，在该第一光致抗蚀剂的部分上执行电子束曝光工艺，使得电子接触该透明衬底的表面；然后，同时显影该第一光致抗蚀剂的一部分并除去该金属层的一部分和该第一光致抗蚀剂的剩余部分，以暴露该相移层的一部分，该方法可减少处理时间和失败率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810170983.8

申请日期：2008-10-21

公开/公告号：CN101419397

公开/公告日：2009-04-29

主分类号：G03F1/00(2006.01)I

申请/专利权人:东部高科股份有限公司

发明/设计人:朴义相

主申请人地址:韩国首尔

专利代理机构:隆天国际知识产权代理有限公司

代理人:郑小军%冯志云

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

1. 一种制造半调相移掩模的方法，包括如下步骤：在透明衬底上方顺序地形成相移层、第一光致抗蚀剂、铬层以及第二光致抗蚀剂；然后部分地蚀刻所述相移层、所述第一光致抗蚀剂以及所述铬层，以暴露所述透明衬底的一部分；然后通过电子束曝光，在所述第一光致抗蚀剂的一部分上执行曝光；然后同时显影所述第一光致抗蚀剂并除去所述铬层。