光敏层的图案化方法

摘要：

一种图案化光敏层的方法包括：提供一个其上形成有第一层的衬底，利用阳离子处理包括所述第一层的衬底，在所述第一层上形成第一光敏层，图案化所述第一光敏层以形成第一图案，利用阳离子处理所述第一图案，在所述已处理第一图案上形成第二光敏层，图案化所述第二光敏层以形成第二图案，以及使用所述第一图案与所述第二图案作为掩膜处理所述第一层。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810168204.0

申请日期：2008-09-25

公开/公告号：CN101551603

公开/公告日：2009-10-07

主分类号：G03F7/36(2006.01)I

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

发明/设计人:陆晓慈;陈桂顺;吴小真;张尚文;刘家助

主申请人地址:中国台湾新竹

专利代理机构:北京市德恒律师事务所

代理人:梁 永%马佑平

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

1、一种在半导体制造中用于图案化光敏层的方法，该方法包括： 提供一个其上形成有第一层的衬底； 利用阳离子处理包括所述第一层的衬底； 在所述第一层上形成第一光敏层； 图案化所述第一光敏层以形成第一图案； 利用阳离子处理所述第一图案； 在所述已处理第一图案上形成第二光敏层； 图案化所述第二光敏层以形成第二图案；以及 使用所述第一图案与所述第二图案作为掩膜处理所述第一层。