利用微纳光纤进行直写光刻的方法

摘要：

本发明公开了一种微纳光纤直写光刻的方法，该方法首先用蓝光单模光纤制备微纳光纤；然后在基片上涂敷一层光刻胶并将此基片固定在六维电控工作台上，通过双显微镜观察法使微纳光纤与基片对准后；给蓝光单模光纤通光，控制放置基片的六维电控工作台移动，使微纳光纤在基片上曝光出所需要的图形，显影、定影、后烘。本发明利用微纳光纤进行直写光刻的方法可以获得突破衍射极限的加工分辨率，弥补了传统激光直写的一大缺憾；方法简单，成本低廉，便于普及推广。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810163137.3

申请日期：2008-12-18

公开/公告号：CN101424880

公开/公告日：2009-05-06

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:浙江大学

发明/设计人:田 丰;白 剑;杨国光;徐建峰;梁宜勇

主申请人地址:310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

专利代理机构:杭州求是专利事务所有限公司

代理人:周 烽

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

1. 一种利用微纳光纤进行直写光刻的方法，微纳光纤直写光刻的装置包括He-Ge激光器、电子快门、光纤耦合装置、蓝光单模光纤、微纳光纤固定装置、基片、六维电控工作台、第一显微镜、第二显微镜和计算机。其特征在于，包括以下步骤：(1)将蓝光单模光纤的一端制备形成微纳光纤。(2)在基片上涂敷一层光刻胶。(3)将涂敷了一层光刻胶的基片固定在六维电控工作台上，通过双显微镜观察法使微纳光纤与基片对准。(4)给蓝光单模光纤通光，控制放置基片的六维电控工作台移动，使微纳光纤在基片上曝光出所需要的图形；(5)显影、定影、后烘。