一种基于神经MOS管的新型反相器

摘要：

本发明公开了一种基于神经MOS管的新型反相器，由一个神经MOS管和一个极性相反的CMOS管组成，神经MOS管包括N型神经MOS管和P型神经MOS管，CMOS管包括N型CMOS管和P型CMOS管，神经MOS管的栅极与CMOS管的栅极连接并与电压输入端连接，神经MOS管的多个输入栅作为电压控制端与控制电压输入端连接，P型CMOS管或P型神经MOS管的漏极与电源电压连接，N型CMOS管或N型神经MOS管的源极接地，P型CMOS管或P型神经MOS管的源极与N型神经MOS管或N型CMOS管的漏极连接并与电压输出端连接，优点是用一个常规CMOS管替代了互补型神经MOS管反相器中的一个神经MOS管，不但可降低功耗，而且可减少阈值损失，本发明的反相器与其它的相同功能的反相器比较，节省功耗46％以上。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810162037.9

申请日期：2008-11-05

公开/公告号：CN101404499

公开/公告日：2009-04-08

主分类号：H03K19/20(2006.01)I

申请/专利权人:宁波大学

发明/设计人:汪鹏君;张跃军

主申请人地址:315211浙江省宁波市江北区风华路818号

专利代理机构:宁波奥圣专利代理事务所（普通合伙）

代理人:程晓明%苏 刚

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

1、一种基于神经MOS管的新型反相器，其特征在于由一个神经MOS管和一个极性相反的CMOS管组成，所述的神经MOS管包括N型神经MOS管和P型神经MOS管，所述的CMOS管包括N型CMOS管和P型CMOS管，所述的神经MOS管的栅极与所述的CMOS管的栅极连接并与电压输入端连接，所述的神经MOS管的多个输入栅作为电压控制端与控制电压连接，所述的P型CMOS管或所述的P型神经MOS管的漏极与电源电压连接，所述的N型CMOS管或所述的N型神经MOS管的源极接地，所述的P型CMOS管或所述的P型神经MOS管的源极与所述的N型神经MOS管或所述的N型CMOS管的漏极连接并与电压输出端连接。